计算题

电路如图所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²。现要求该电路中FET的I_DQ=1.6mA，试求R_d的值应为多大？

电路如图所示，已知VT在UGS=5V时的ID=2.25mA，在UGS=3V时的ID=0.25mA。现要求该电路...

问答题

电路如图所示，已知VT在U_GS=5V时的I_D=2.25mA，在U_GS=3V时的I_D=0.25mA。现要求该电路中FET的V_DQ=2.4V、I_DQ=0.64mA，试求：
（1）管子的K_n和U_th的值；
（2）R_d和R_S的值应各取多大？

试求图所示每个电路的UDS，已知|IDSS|=8mA。

问答题

试求图所示每个电路的U_DS，已知|I_DSS|=8mA。

电路如图所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。

问答题

电路如图所示，MOSFET的U_th=2V，K_n=50mA/V²，确定电路Q点的I_DQ和U_DSQ值。