单项选择题
A.接触 B.不接触 C.上接触,下不接触
硅砖体积膨胀主要在()以前。A.600℃B.870℃C.300℃
单项选择题硅砖体积膨胀主要在()以前。
A.600℃ B.870℃ C.300℃
烘炉干燥期,沿焦炉高向各部位温度应()。A.越接近越好B.上部比下部要高一定比例C.下部比上部高一定比例
单项选择题烘炉干燥期,沿焦炉高向各部位温度应()。
A.越接近越好 B.上部比下部要高一定比例 C.下部比上部高一定比例
烘炉结束后,要求摩擦板平面()炭化室平面。A.高于B.相平于C.不高于
单项选择题烘炉结束后,要求摩擦板平面()炭化室平面。
A.高于 B.相平于 C.不高于