单项选择题
A.减少晶片长度和回沾位置 B.增加晶片长度和回沾位置 C.增加整平位置 D.减少整平位置
沾银凹陷和银层偏薄的处理方式为（）A.增加晶片长度和第二行程膜厚B.调整银膏膜厚设定值C.校准银膏盘原点D.减...
单项选择题沾银凹陷和银层偏薄的处理方式为（）
A.增加晶片长度和第二行程膜厚 B.调整银膏膜厚设定值 C.校准银膏盘原点 D.减小银膏膜厚设定值
由于银浆具有流动性，沾银后的产品要保证在（）分钟内进行烘箱烘干。A.25B.20C.15D.10
单项选择题由于银浆具有流动性，沾银后的产品要保证在（）分钟内进行烘箱烘干。
A.25 B.20 C.15 D.10
MPM产品沾银端浆名称为（）A.M1856B.DP4857LC.H9132D.CY-8286T
单项选择题MPM产品沾银端浆名称为（）
A.M1856 B.DP4857L C.H9132 D.CY-8286T
