用外延法生长单晶，有（）和（）两种方法。

铸锭法生长硅单晶虽然（）简单，（）快，（）低，但是生长单晶质量差。一般用于制造太阳能电池器件。

填空题铸锭法生长硅单晶虽然（）简单，（）快，（）低，但是生长单晶质量差。一般用于制造太阳能电池器件。

气相生长法（）简单，污染少，单晶纯度较高，但是（），生长条件不易控制，生长的单晶质量较差。

填空题气相生长法（）简单，污染少，单晶纯度较高，但是（），生长条件不易控制，生长的单晶质量较差。

气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下，（）和氢气作用，在（）上逐渐生长出单晶。

填空题气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下，（）和氢气作用，在（）上逐渐生长出单晶。