填空题
垂直;┴;平行
UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减...
填空题UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()
由于()的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”, 组分缺陷的浓度主要取决于()和()
填空题由于()的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”, 组分缺陷的浓度主要取决于()和()
晶体的对称要素中微观对称要素种类有()
填空题晶体的对称要素中微观对称要素种类有()