单项选择题
A.集成度每18月翻一番B.最小特征尺寸每3年减小50%C.最小特征尺寸每3年减小70%D.集成度每三年翻一番
因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为（）。A.晶格损伤B.晶格缺陷C.晶胞损伤D.晶胞缺陷
单项选择题因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为（）。
A.晶格损伤B.晶格缺陷C.晶胞损伤D.晶胞缺陷
根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是（）。A.固态源扩散B.液态源扩散C.替位式扩散D.气态源...
单项选择题根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是（）。
A.固态源扩散B.液态源扩散C.替位式扩散D.气态源扩散
两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步，预淀积是惰性气氛下的（）。A.恒定源扩散B.有限源扩散C...
单项选择题两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步，预淀积是惰性气氛下的（）。
A.恒定源扩散B.有限源扩散C.间隙式扩散D.替位式扩散
