单项选择题
A.104℃/s B.105℃/s C.103℃/s D.102℃/s
非晶硅的禁带宽度为（）。A.2.12eVB.1.6eVC.1.5eV，并且在一定程度上可调D.1.12eV
单项选择题非晶硅的禁带宽度为（）。
A.2.12eV B.1.6eV C.1.5eV，并且在一定程度上可调 D.1.12eV
非晶硅的沉积温度为（）。A.900～1300℃B.500～700℃C.100～300℃D.1000～1400℃
单项选择题非晶硅的沉积温度为（）。
A.900～1300℃ B.500～700℃ C.100～300℃ D.1000～1400℃
非晶硅薄膜的厚度约为（）。A.数十微米B.数百微米C.数十毫米D.数百纳米
单项选择题非晶硅薄膜的厚度约为（）。
A.数十微米 B.数百微米 C.数十毫米 D.数百纳米
