单项选择题
A.正偏B.基极-发射极间电压降VBE小于0C.PNP型的正偏，NPN型的反偏D.反偏
在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。A.使空间电荷区变厚B.使反向饱和电流减小C.使反向饱和电流增大D....
单项选择题在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
A.使空间电荷区变厚B.使反向饱和电流减小C.使反向饱和电流增大D.抑制漂移，促进扩散
关于击穿，以下说法错误的是（）。A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性B.齐纳击穿的本质是场致电离，...
单项选择题关于击穿，以下说法错误的是（）。
A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性B.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高C.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。A.加强外电场B.掺入特定杂质元素C.提高环境温度D.加...
单项选择题为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A.加强外电场B.掺入特定杂质元素C.提高环境温度D.加强光照
