氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。

判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。

栅氧一般通过热生长获得。

判断题栅氧一般通过热生长获得。

硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。

判断题硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。