单项选择题
A.这是N-SiB.电子浓度为1017cm-3C.该半导体中空穴为少数载流子D.该半导体的费米能级在禁带中心下方
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是（）A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度B.N型...
单项选择题关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是（）
A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是（）A.是深能级杂质B.是间隙杂质C.是施主杂质D.电离后带负电
单项选择题磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是（）
A.是深能级杂质B.是间隙杂质C.是施主杂质D.电离后带负电
关于漂移和扩散，以下说法不正确的是（）A.温度越高，扩散越容易B.影响漂移和扩散的因素基本类似C.载流子要么进...
单项选择题关于漂移和扩散，以下说法不正确的是（）
A.温度越高，扩散越容易B.影响漂移和扩散的因素基本类似C.载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在D.同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样的
