问答题
以下两图属于同类型存储器单元。试回答以下问题：
同属于现场可编程ROM（PROM），（a）为熔丝型PROM存储单元；（b）为PN结击穿PROM存储单元。
给出一管单元DRAM的原理图，并给出版图。
问答题给出一管单元DRAM的原理图，并给出版图。
对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF...
问答题对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF）上的电压分别等于1.9V和0V。这相当于电荷传递速率为4.8%。求读操作期间位线上的电压摆幅。
给出三管DRAM的原理图。并按图中已给出的波形画出X和BL1波形，并大致标出电压值。（选作）试问有什么办法提高...
给出三管DRAM的原理图。并按图中已给出的波形画出X和BL1波形，并大致标出电压值。（选作）试问有什么办法提高refresh time？
