单项选择题
A.MOSFET B.GTO C.IGT D.MCT
电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。A.漏源间的耐压，漏极最大...
单项选择题电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。
A.漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B.漏极连续电流 C.栅源极击穿电压 D.漏极峰值电压
关于二次击穿，下列说法错误的是（）A.二次击穿是造成GTR突然损坏或早期失效的重要原因B.在电感性负载和大电流...
单项选择题关于二次击穿，下列说法错误的是（）
A.二次击穿是造成GTR突然损坏或早期失效的重要原因 B.在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿不是晶体管毁坏的主要因素 C.二次击穿已成为影响电力晶体管安全使用和可靠性的重要因素 D.一旦发生二次击穿，就有可能是晶体管收到永久性损坏。
目前常用的电力晶体管器件有（）A.单管GTRB.GTOC.光控晶闸管D.逆导晶闸管
单项选择题目前常用的电力晶体管器件有（）
A.单管GTR B.GTO C.光控晶闸管 D.逆导晶闸管
