内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效率（），切片后硅片的表面损伤大。

目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺，肩部形成一个近（）的夹角。A.90°B.45°C.180°D.30°

单项选择题目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺，肩部形成一个近（）的夹角。

粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。A.重量B.浓度C.颜色D.大小

单项选择题粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。

硅片清洗必须按照（）的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。A.水-甲苯-丙酮-酒精B.水-丙酮-甲苯...

单项选择题硅片清洗必须按照（）的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。