填空题
发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；发射结要正向偏置、集电结要反向偏置
在半导体中，温度变化时（）数载流子的数量变化较大，而（）数载流子的数量变化较小。
填空题在半导体中，温度变化时（）数载流子的数量变化较大，而（）数载流子的数量变化较小。
三极管的发射区（）浓度很高，而基区很薄。
填空题三极管的发射区（）浓度很高，而基区很薄。
三极管处在放大区时，其（）电压小于零，（）电压大于零。
填空题三极管处在放大区时，其（）电压小于零，（）电压大于零。
