单项选择题
A.PROM B.EEPROM C.固态硬盘 D.高速缓存
以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）A.DRAM将每个位存储为对一个电容的充电B.SRAM对光干扰敏感，...
单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）
A.DRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B.SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C.SRAM主要用于高速缓存 D.SRAM具有双稳态特性
以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）A.DRAM具有双稳态特性B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电...
单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）
A.DRAM具有双稳态特性 B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C.DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D.SRAM对干扰非常敏感
以下哪些措施可能提高程序并行性（）A.循环展开B.创建多个累积变量C.重新变换结合D.以上都是
单项选择题以下哪些措施可能提高程序并行性（）
A.循环展开 B.创建多个累积变量 C.重新变换结合 D.以上都是
