计算题 设硅中施主杂质电离能ΔE_D=0.04eV，施主杂质浓度N_D=10¹⁶/cm³，以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准，试计算保持饱和杂质电离的温度范围。

设锗中施主杂质的电离能ΔED=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度Nc=1.04×1019/cm3，若以施...

问答题设锗中施主杂质的电离能ΔE_D=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。

一硅半导体含有施主杂质浓度ND=9×1015/cm3，和受主杂质浓度NA=1.1×1016/cm3，求在T=3...

问答题一硅半导体含有施主杂质浓度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主杂质浓度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K时（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的电子空穴浓度以及费米载流了浓度。

一块n型硅材料，掺有施主浓度ND=1.5×1015/cm3，在室温（T=300K）时本征载流浓度ni=1.3×...

问答题一块n型硅材料，掺有施主浓度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室温（T=300K）时本征载流浓度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。