P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

判断题N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

判断题MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

判断题N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。