单项选择题
A.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）B.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）C.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）D.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）
关于强电离区，以下说法正确的是（）A.本征激发的影响不可忽略B.本征激发的影响可以忽略C.载流子浓度随温度升高...
单项选择题关于强电离区，以下说法正确的是（）
A.本征激发的影响不可忽略B.本征激发的影响可以忽略C.载流子浓度随温度升高按指数规律变化D.费米能级不随温度变化
关于“非简并半导体”，以下说法正确的是（）A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数B.价带中的空穴服从费米分布函数...
多项选择题关于“非简并半导体”，以下说法正确的是（）
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数B.价带中的空穴服从费米分布函数C.导带中的电子服从费米分布函数D.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
以下关于“简并半导体”的描述正确的是（）A.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数B.n型简并半导体...
单项选择题以下关于“简并半导体”的描述正确的是（）
A.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数B.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数C.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
