有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是（）eV

GaAs晶体是（）结构A.金刚石B.闪锌矿C.体心D.面心

单项选择题GaAs晶体是（）结构

硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

判断题硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。

判断题半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。