单项选择题
A.常温高压生长B.高温高压生长C.常温常压生长D.高温常压生长
层生长理论的缺陷是()A.不能解释晶体在低过饱和度条件下形成二维核B.不能解释旧层生长C.不能解释二维核的形成...
单项选择题层生长理论的缺陷是()
A.不能解释晶体在低过饱和度条件下形成二维核B.不能解释旧层生长C.不能解释二维核的形成D.不能解释新层生长
螺旋生长需要借助于螺旋位错提供台阶位进行生长。
判断题螺旋生长需要借助于螺旋位错提供台阶位进行生长。
晶体生长模型主要有()A.层生长B.液-固转变生长C.气-固转变生长D.螺旋生长
多项选择题晶体生长模型主要有()
A.层生长B.液-固转变生长C.气-固转变生长D.螺旋生长