单项选择题
A、音频 B、电流 C、电压 D、磁路磁阻
扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片最大位移量在()。A、微米数量级B、毫米数量级C、厘米数量级D、...
单项选择题扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片最大位移量在()。
A、微米数量级 B、毫米数量级 C、厘米数量级 D、纳米数量级
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其...
单项选择题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。
A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成 B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥 C、集力敏与力电转换检测于一体 D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体...
单项选择题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。
A、硅晶体的压阻效应 B、硅晶体的扩散效应 C、硅晶体的应变效应 D、硅晶体的半导体特性