水冷器为喷淋式，溴化锂水冷为套管式。

热点温度的控制原则：高产、稳定、低耗、保护内件，保护触媒.

判断题热点温度的控制原则：高产、稳定、低耗、保护内件，保护触媒.

合成系统压力控制过高易损坏设备发生事故，过低，有效气体成份损失多，消耗高。

判断题合成系统压力控制过高易损坏设备发生事故，过低，有效气体成份损失多，消耗高。

塔前放空开的大，触媒温度上升。

判断题塔前放空开的大，触媒温度上升。