P沟增强型MOS管存在着一个栅极开启电压。

P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。

判断题P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。

在场效应晶体管内部，正常工作时有两种载流子在起关键作用。

判断题在场效应晶体管内部，正常工作时有两种载流子在起关键作用。

MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。

判断题MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。