问答题
采用多晶硅发射极结构，避免发射区离子注入对硅表面的损伤。
N阱CMOS主要工艺步骤是什么？
问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么？
缩小特征尺寸的目的是什么？
问答题缩小特征尺寸的目的是什么？
摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？
问答题摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？
