问答题
如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。
（a）铝金属化工艺下层铝导线层间绝缘介质沉积/平坦化通孔刻蚀通孔填充，形成钨插塞上层铝淀积上层铝导线刻蚀（......
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依照如图，对硅片制造厂的六个分区分别做一个简短的描述，要求写出分区的主要功能、主要设备以及显著特点。
对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。A.氧化层厚度；B.沟道中掺杂浓度；C....
多项选择题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。
A.氧化层厚度； B.沟道中掺杂浓度； C.金属半导体功函数； D.氧化层电荷。
离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的...
单项选择题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。
A. 电活性 B. 晶格损伤 C. 横向效应 D. 沟道效应
