多项选择题
A.仪器线路比较复杂 B.依靠电容耦合 C.干扰比较大 D.测试方法比较简单
测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。A.控制氙灯的闪光电压B.加滤光片C.加热硅单晶D.加光阑
多项选择题测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。
A.控制氙灯的闪光电压 B.加滤光片 C.加热硅单晶 D.加光阑
半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。A.晶体管的放大倍数B.开关管的开关时间C.太...
多项选择题半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。
A.晶体管的放大倍数 B.开关管的开关时间 C.太阳能电池的光电转换效率 D.太阳能电池的填充因子
半导体晶体缺陷主要包括（）A.微观缺陷B.宏观缺陷C.表面机械损伤D.点阵应变
多项选择题半导体晶体缺陷主要包括（）
A.微观缺陷 B.宏观缺陷 C.表面机械损伤 D.点阵应变
