简答题 考虑下面的反相器设计问题：给定V_DD=5V，K_N`=30uA/V2 ，V_T0=1V 设计一个V_OL=0.2V的电阻负载反相器电路，并确定满足V_OL条件时的晶体管的宽长比（W/L）和负载电阻R_L的阻值。

给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。

问答题给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。

请画出晶体管的ID—VDS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟...

问答题请画出晶体管的I_D—V_DS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。

为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？