平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。

内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。

判断题内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。

可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。

判断题可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。

甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。

判断题甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。