计算题 在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中可动电荷。

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡载流子的...

问答题

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡载流子的寿命为τ_p，光脉冲宽度Δt=3τ_p。
1）试写出在该脉冲光开始照射到结束以后，非平衡空穴所满足的方程式。
2）设t=0的瞬间，脉冲光开始照射，试求脉冲光开始照射到结束后的整个时间内，非平衡空穴随时间变化的规律。
3）在用直流光电导衰减法测量非平衡载流子寿命的实验中，在示波器上观察的是哪段曲线？所谓的寿命是指曲线上的哪段时间？由此如何定义非平衡载流子的寿命？

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： 试求： 1）禁...

问答题

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_v（k）分别为：

试求：
1）禁带宽度；
2）导带底电子有效质量；
3）价带顶电子有效质量；
4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

温度为300K时本征硅的电子浓度1.5×1010cm-3，电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S和500...

问答题

温度为300K时本征硅的电子浓度1.5×10¹⁰cm^-3，电子和空穴迁移率分别为1350cm²/V·S和500cm²/V·S。
1）计算硅的本征电导率。
2）硅的原子密度为5.00×10²²/cm³。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征硅的电导率增大了多少倍？
3）若该样品所加的电场强度为1.34V/cm，试求流过该样品的电流密度是多少？