计算题 已知硅p⁺n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结C_i=8.45×10^-36cm^-1，锗pn结C_i=6.25×10^-34cm^-1）

在杂质浓度ND=2×1015cm-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为NA=1018cm-3，结深...

问答题在杂质浓度N_D=2×10¹⁵cm^-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为N_A=10¹⁸cm^-3，结深5μm，求此pn结5V反向电压下的势垒电容。

硅突变pn结NA=5×1018cm-3，ND=1.5×1016cm-3，设pn结击穿时的最大电场为Ec=5×1...

问答题硅突变pn结N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，设pn结击穿时的最大电场为E_c=5×10⁵V/cm，计算pn结的击穿电压。

硅pn结的杂质浓度，计算pn结的反向击穿电压，如果要使其反向电压提高到300V，n侧的电阻率应为多少？

问答题硅pn结的杂质浓度，计算pn结的反向击穿电压，如果要使其反向电压提高到300V，n侧的电阻率应为多少？