计算题 设电子迁移率为0.1cm²/V.s，硅的电子有效质量m_cn=0.26m₀，如加以强度为10⁴V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。

在500g的硅单晶中掺有4.5×10-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μp=400cm2/V.s...

问答题在500g的硅单晶中掺有4.5×10^-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μ_p=400cm²/V.s），硅单密度为2.33g/cm³，硼的原子量为10.8）。

本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm2/V.s和500cm2/V.s，当掺入百万分之一的As后，设杂...

问答题本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm²/V.s和500cm²/V.s，当掺入百万分之一的A_s后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？

300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm2/V.s和1900c...

问答题300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征锗的载流子浓度。