在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。A.EcB.EvC.EgD.EF

单项选择题对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E_i。

（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

填空题（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和...

填空题反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。