填空题
MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压;正;负
光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨...
填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。
前烘的目的是()使胶膜中的溶剂只有初始浓度的()。从而,使胶的()性能稳定。对正胶,前烘过度会使非曝光区的胶(...
填空题前烘的目的是()使胶膜中的溶剂只有初始浓度的()。从而,使胶的()性能稳定。对正胶,前烘过度会使非曝光区的胶();前烘不足,会使胶的感光度(),对比度(),线条边缘不陡直。所以,必须严格控制前烘的()和()。
光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂...
填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。