对副载波陷波电路的要求为：吸收深度大于（）dB、吸收带宽为150—250kHz。

混频电路的核心是（）器件。A、线性B、非线性C、温度补偿D、稳压

单项选择题混频电路的核心是（）器件。

图像中频是（）MHz。A、38B、31.5C、6.5D、4.43

单项选择题图像中频是（）MHz。

TDQ—3型调谐器中双栅场效应管接成（）级联放大器。A、共射—共射B、共射—共基C、共射—共集D、共源—共栅

单项选择题TDQ—3型调谐器中双栅场效应管接成（）级联放大器。