单项选择题
A.128msB.128μsC.2048msD.2048μs
外加()电压时,P区接电源正极,N型接负极,空间电荷区变()。A.反向,窄B.反向,宽C.正向,窄D.正向,宽
单项选择题外加()电压时,P区接电源正极,N型接负极,空间电荷区变()。
A.反向,窄B.反向,宽C.正向,窄D.正向,宽
每门静态功耗,TTL与CMOS门相比较应()A.前者大B.后者大C.一样大D.无法比较
单项选择题每门静态功耗,TTL与CMOS门相比较应()
A.前者大B.后者大C.一样大D.无法比较
关于RAM的哪个叙述不正确?()A.信息可读B.断电后原信息消失C.可写入信息D.断电后原信息保持
单项选择题关于RAM的哪个叙述不正确?()
A.信息可读B.断电后原信息消失C.可写入信息D.断电后原信息保持