单项选择题
A.干氧氧化B.湿氧氧化C.离子氧化D.水蒸汽氧化
集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质...
单项选择题集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质D.作为掩蔽膜
以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。A.几何设计规则是版图图形编辑的依据B.几何设计规则...
单项选择题以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。
A.几何设计规则是版图图形编辑的依据B.几何设计规则是设计系统生成版图的依据C.几何设计规则是分析计算的依据D.几何设计规则是检查版图错误的依据
以下不是影响刻蚀质量的主要因素是（）。A.粘附性B.刻蚀温度C.刻蚀时间D.刻蚀槽的高度
单项选择题以下不是影响刻蚀质量的主要因素是（）。
A.粘附性B.刻蚀温度C.刻蚀时间D.刻蚀槽的高度
