单项选择题
A.20.0/80.0B.75.0/25.0C.85.0/15.0D.95.0/5.0
ICP中等离子体环状结构形成的原因是()。A.高频电流的趋肤效应B.内管栽气的气体动力学作用C.高频发生器D....
多项选择题ICP中等离子体环状结构形成的原因是()。
A.高频电流的趋肤效应B.内管栽气的气体动力学作用C.高频发生器D.三层炬管E.单层炬管
ICP-AES法中检出限高低取决于()。A.仪器操作参数B.进样方法C.元素性质D.酸度E.操作水平
多项选择题ICP-AES法中检出限高低取决于()。
A.仪器操作参数B.进样方法C.元素性质D.酸度E.操作水平
ICP光谱干扰包括()。A.连续背景辐射B.谱线重叠干扰C.挥发和原子化干扰D.激发和电离干扰E.化学干扰
多项选择题ICP光谱干扰包括()。
A.连续背景辐射B.谱线重叠干扰C.挥发和原子化干扰D.激发和电离干扰E.化学干扰