单项选择题
A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截至
电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。
填空题电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。
GTO的门极控制增益β的表示方法:()。
填空题GTO的门极控制增益β的表示方法:()。
某半导体器件的型号为KP50-7,其中KP表示该器件的名称为(),50表示(),7表示()。
填空题某半导体器件的型号为KP50-7,其中KP表示该器件的名称为(),50表示(),7表示()。