单项选择题
A.由于无结电容影响，常用于放大高频信号B.输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高C.放大电路的输出信号与输入信号同相D.输出电阻大，带负载能力较差
对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。A.放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流B.放大电路的输...
单项选择题对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。
A.放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流B.放大电路的输出功率一般是瓦特级C.放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压D.放大电路的输出信号电流一般是几毫安
晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低B.到达基区的电子很容易...
单项选择题晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。
A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低B.到达基区的电子很容易穿过集电结C.到达基区的空穴很容易穿过发射结D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
对PN结电击穿描述不正确的是（）。A.PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态B.雪崩击穿属于电击穿C.齐...
单项选择题对PN结电击穿描述不正确的是（）。
A.PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态B.雪崩击穿属于电击穿C.齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的D.稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
