单项选择题
A.13μmB.3μmC.40μmD.12μm
电阻膜缺陷主要是指()A.电阻膜缺损B.存在多余小岛C.电阻划伤D.以上都是
单项选择题电阻膜缺陷主要是指()
A.电阻膜缺损B.存在多余小岛C.电阻划伤D.以上都是
基片应具有良好的绝缘性能,即要有高的()A.强度B.导电性C.密度D.绝缘电阻率
单项选择题基片应具有良好的绝缘性能,即要有高的()
A.强度B.导电性C.密度D.绝缘电阻率
高方数的薄膜电阻设计成帽状结构,是为了()的需要。A.精度B.调值C.稳定性D.可靠性
单项选择题高方数的薄膜电阻设计成帽状结构,是为了()的需要。
A.精度B.调值C.稳定性D.可靠性