案例分析题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

布里渊区边界

分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子...

问答题分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶...

问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

问答题价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化