‏理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）

‏金属和半导体接触的整流特性可用于（）A.制作晶体管B.制作肖特基势垒二极管C.给半导体器件接出金属引线D.制...

单项选择题‏金属和半导体接触的整流特性可用于（）

‌整流接触的特征是（）A.具有单向导电特性B.其正反偏置的电流输运特征没有差别C.具有双向导电特性D.接触引入...

单项选择题‌整流接触的特征是（）

在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（）A.金属和n型半导体接触，Wm< WsB.金属和p型半导体接...

单项选择题在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（）