单项选择题
A.大于B.等于C.小于D.无法比较
在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。A.电离杂质散射为主B.晶格散射为...
多项选择题在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
A.电离杂质散射为主B.晶格散射为主C.本征激发起主要作用D.杂质完全电离
下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×...
单项选择题下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。
A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×1015cm-3、磷1×1015cm-3的硅C.含硼2×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅D.本征硅
对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V...
单项选择题对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V·s。
A.60B.600C.90D.900
