单项选择题
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C、平衡载流子破坏原来的热平衡； D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）A、0.786nm B、0.543nm C...
单项选择题单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于 B、等于或大于 C、大于
单项选择题用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高 B、不确定...
单项选择题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
