对于一般浓度的掺杂半导体，室温下其主要散射机制为：（）

‌以下哪个区域对应室温下的n-Si载流子随温度变化的关系？（）A.3B.1C.2D.4

单项选择题

‌以下哪个区域对应室温下的n-Si载流子随温度变化的关系？（）

能态密度的单位可以是（）。A.个/平方厘米B.个/平方厘米-eVC.个D.个/eV

单项选择题能态密度的单位可以是（）。

‏Si中常见点缺陷是（）缺陷。A.肖特基B.弗伦克尔C.刃位错D.螺位错

单项选择题‏Si中常见点缺陷是（）缺陷。