单项选择题
A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0 B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）A、【100】B、【111】C...
单项选择题为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
A、【100】 B、【111】 C、【110】 D、【111】或【110】
可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）A、n型B、p型C、...
单项选择题可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）
A、n型 B、p型 C、本征型 D、高度补偿型
对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。A、平衡载流子浓度成正比B、非平衡载流子浓度成正比C...
单项选择题对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。
A、平衡载流子浓度成正比 B、非平衡载流子浓度成正比 C、平衡载流子浓度成反比 D、非平衡载流子浓度成反比
