当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。

PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。

判断题PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。

正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

判断题正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边...

判断题在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。