问答题
（1）跨导相对低； （2）阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度； （3）驱动电流小； （4）阈值电压变化大。
HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
问答题HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
问答题由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
什么是赝晶或赝配HEMT？
问答题什么是赝晶或赝配HEMT？
