填空题
ΔU=Q+W;dS≥δQ/T;SOK=0
HI比HCl的熔沸点高是由于(),HF比HCl的熔沸点高是由于();I2在CCl4中的溶解度比在水中的溶解度大...
填空题HI比HCl的熔沸点高是由于(),HF比HCl的熔沸点高是由于();I2在CCl4中的溶解度比在水中的溶解度大是由于(),而KCl在水中的溶解度比AgCl大是由于()
[Co(H2O)4Cl2]Cl配合物的中文命名为(),中心离子为(),配位体为(),配位原子为(),配位数为(...
填空题[Co(H2O)4Cl2]Cl配合物的中文命名为(),中心离子为(),配位体为(),配位原子为(),配位数为(),配离子的电荷为()
第31号元素镓(Ga)是当年预言过的类铝,现在是重要的半导体材料之一。Ga的核外电子排布式为();价电子层为(...
填空题第31号元素镓(Ga)是当年预言过的类铝,现在是重要的半导体材料之一。Ga的核外电子排布式为();价电子层为();它属周期表中的第()周期,()族,处于()区。