单项选择题
A.面积；速度B.能量；延时C.功耗；延时D.功率；速度
下面关于传播延时的定义错误的是（）A.传播延时是门的输出由低至高翻转的响应时间和门的输出由高至低翻转的响应时间...
单项选择题下面关于传播延时的定义错误的是（）
A.传播延时是门的输出由低至高翻转的响应时间和门的输出由高至低翻转的响应时间这两个时间的平均值B.通常所说的传播延时是针对门的C.输入和输出波形的50%翻转点之间的时间D.传播延时只与电路工艺和拓扑连接有关
面积较小的门往往较快并消耗（）的能量，因为门的总电容常常随面积的减小而（）。A.较多；增大B.较少；减小C.较...
单项选择题面积较小的门往往较快并消耗（）的能量，因为门的总电容常常随面积的减小而（）。
A.较多；增大B.较少；减小C.较少；增大D.较多；减小
参考典型0.25μmCMOS工艺的导线的平面电容和边缘电容值，考虑一条布置在第二层铝上的长10cm、宽2μm的...
填空题参考典型0.25μmCMOS工艺的导线的平面电容和边缘电容值，考虑一条布置在第二层铝上的长10cm、宽2μm的铝线，计算出的总电容值为（）pF。
